-
Esminis SiC dengtų grafito susceptorių vaidmuo ir panaudojimo atvejai puslaidininkių gamyboje
„Semicera Semiconductor“ planuoja visame pasaulyje padidinti pagrindinių puslaidininkių gamybos įrangos komponentų gamybą. Iki 2027 m. siekiame įkurti naują 20 000 kvadratinių metrų gamyklą, kurios bendra investicija sieks 70 mln. USD. Vienas iš mūsų pagrindinių komponentų, silicio karbido (SiC) plokštelių laikiklis...Skaityti daugiau -
Ideali medžiaga fokusavimo žiedams plazminio ėsdinimo įrangoje: silicio karbidas (SiC)
Plazminio ėsdinimo įrangoje keraminiai komponentai, įskaitant fokusavimo žiedą, atlieka lemiamą vaidmenį. Fokusavimo žiedas, esantis aplink plokštelę ir tiesiogiai su ja besiliečiantis, yra būtinas norint sufokusuoti plazmą į plokštelę, kreipiant į žiedą įtampą. Tai sustiprina ne...Skaityti daugiau -
Kai stiklinė anglis atitinka naujoves: „Semicera“ pirmauja stiklo anglies dengimo technologijos revoliucijoje
Stiklinė anglis, taip pat žinoma kaip stiklinė anglis arba stiklinė anglis, sujungia stiklo ir keramikos savybes į negrafinę anglies medžiagą. Tarp kompanijų, kuriančių pažangias stiklines anglies medžiagas, yra „Semicera“, pirmaujantis gamintojas, kurio specializacija yra anglies...Skaityti daugiau -
Silicio karbido epitaksijos technologijos proveržis: pirmaujanti silicio / karbido epitaksinių reaktorių gamyba Kinijoje
Džiaugiamės galėdami pranešti apie novatorišką mūsų įmonės patirtį silicio karbido epitaksijos technologijos srityje. Mūsų gamykla didžiuojasi būdama viena iš pirmaujančių gamintojų Kinijoje, galinčių gaminti silicio/karbido epitaksinius reaktorius. Mūsų įsipareigojimas išskirtinei kokybei...Skaityti daugiau -
Naujas proveržis: mūsų įmonė užkariauja tantalo karbido dengimo technologiją, kad pailgintų komponentų tarnavimo laiką ir pagerintų derlių
Džedziangas, 2023-10-20 – Žymiai pažengusi į technologinę pažangą, mūsų įmonė išdidžiai praneša apie sėkmingą tantalo karbido (TaC) dengimo technologijos plėtrą. Šis proveržis žada labai pakeisti pramonę...Skaityti daugiau