2–6 colių 4° nuo kampo P tipo 4H-SiC substratas

„Semicera“ 2–6 colių 4° kampo P tipo 4H-SiC substratai yra sukurti taip, kad atitiktų augančius didelio našumo galios ir radijo dažnių įrenginių gamintojų poreikius. 4° kampo orientacija užtikrina optimalų epitaksinį augimą, todėl šis substratas yra idealus pagrindas įvairiems puslaidininkiniams įrenginiams, įskaitant MOSFET, IGBT ir diodus.

Šis 2–6 colių 4° kampo P tipo 4H-SiC substratas pasižymi puikiomis medžiagos savybėmis, įskaitant aukštą šilumos laidumą, puikias elektrines charakteristikas ir puikų mechaninį stabilumą. Nekampinė orientacija padeda sumažinti mikrovamzdžio tankį ir skatina sklandesnius epitaksinius sluoksnius, o tai labai svarbu siekiant pagerinti galutinio puslaidininkinio įtaiso veikimą ir patikimumą.

„Semicera“ 2–6 colių 4° kampo P tipo 4H-SiC substratai yra įvairių skersmenų, nuo 2 colių iki 6 colių, kad atitiktų skirtingus gamybos reikalavimus. Mūsų substratai yra tiksliai sukonstruoti taip, kad užtikrintų vienodą dopingo lygį ir aukštos kokybės paviršiaus charakteristikas, užtikrinant, kad kiekviena plokštelė atitiktų griežtas specifikacijas, reikalingas pažangioms elektroninėms programoms.

„Semicera“ įsipareigojimas naujovėms ir kokybei užtikrina, kad mūsų 2–6 colių 4° kampo P tipo 4H-SiC substratai užtikrintų pastovų veikimą įvairiose srityse – nuo ​​galios elektronikos iki aukšto dažnio įrenginių. Šis produktas yra patikimas sprendimas naujos kartos energiją taupantiems, didelio našumo puslaidininkiams, palaikantiems technologinę pažangą tokiose pramonės šakose kaip automobilių pramonė, telekomunikacijos ir atsinaujinanti energija.