Tantalo karbidu padengtas žiedas

Trumpas aprašymas:

Tantalo karbido danga yra pažangi paviršiaus dengimo technologija, kurios metu tantalo karbido medžiaga sudaro kietą, dilimui ir korozijai atsparų apsauginį sluoksnį ant pagrindo paviršiaus.Ši danga pasižymi puikiomis savybėmis, kurios žymiai padidina medžiagos kietumą, atsparumą aukštai temperatūrai ir cheminį atsparumą, kartu sumažina trintį ir nusidėvėjimą.Tantalo karbido dangos yra plačiai naudojamos įvairiose srityse, įskaitant pramoninę gamybą, aviaciją, automobilių inžineriją ir medicinos įrangą, siekiant pailginti medžiagų naudojimo laiką, pagerinti gamybos efektyvumą ir sumažinti priežiūros išlaidas.Nesvarbu, ar metaliniai paviršiai apsaugomi nuo korozijos, ar padidėja mechaninių dalių atsparumas dilimui ir oksidacijai, tantalo karbido dangos yra patikimas sprendimas įvairioms reikmėms.

 


Produkto detalė

Produkto etiketės

„Semicera“ teikia specializuotas tantalo karbido (TaC) dangas įvairiems komponentams ir laikikliams.Semicera pirmaujantis dengimo procesas leidžia tantalo karbido (TaC) dangoms pasiekti aukštą grynumą, stabilumą aukštoje temperatūroje ir aukštą cheminių medžiagų toleranciją, gerinant SIC/GAN kristalų ir EPI sluoksnių produkto kokybę (Grafitu padengtas TaC susceptorius) ir pratęsti pagrindinių reaktoriaus komponentų tarnavimo laiką.Tantalo karbido TaC dangos naudojimas yra skirtas išspręsti briaunų problemą ir pagerinti kristalų augimo kokybę, o Semicera Semicera proveržis išsprendė tantalo karbido dengimo technologiją (CVD) ir pasiekė tarptautinį pažangų lygį.

 

Po daugelio metų plėtros Semicera užkariavo technologijąCVD TaCbendromis MTEP skyriaus pastangomis.SiC plokštelių augimo procese nesunkiai atsiranda defektų, tačiau panaudojusTaC, skirtumas yra reikšmingas.Žemiau pateikiamas plokštelių su TaC ir be jos, taip pat Simicera dalių, skirtų monokristalų auginimui, palyginimas

微信图片_20240227150045

su TaC ir be jo

微信图片_20240227150053

Panaudojus TaC (dešinėje)

Be to, Semicera TaC dangos gaminių tarnavimo laikas yra ilgesnis ir atsparesnis aukštai temperatūrai nei SiC dangos.Po ilgo laiko laboratorinių matavimų duomenų mūsų TaC gali dirbti ilgą laiką ne aukštesnėje kaip 2300 laipsnių Celsijaus temperatūroje.Toliau pateikiami keli mūsų pavyzdžiai:

微信截图_20240227145010

a) SiC monokristalinio luito auginimo įrenginio PVT metodu schema. b) Viršutinis TaC padengtas sėklų laikiklis (įskaitant SiC sėklas) c) TAC padengtas grafito kreipiamasis žiedas

ZDFVzCFV
Pagrindinis bruožas
Semicera Darbo vieta
Semicera darbo vieta 2
Įrangos mašina
CNN apdorojimas, cheminis valymas, CVD dengimas
Mūsų paslauga

  • Ankstesnis:
  • Kitas: