8 colių N tipo SiC plokštelė

Trumpas aprašymas:

„Semicera“ 8 colių N tipo SiC plokštelės yra sukurtos pažangiausioms didelės galios ir aukšto dažnio elektronikos reikmėms. Šios plokštelės užtikrina puikias elektrines ir šilumines savybes, užtikrindamos efektyvų veikimą sudėtingoje aplinkoje. Semicera siūlo naujoves ir patikimumą puslaidininkinių medžiagų srityje.


Produkto detalė

Produkto etiketės

„Semicera“ 8 colių N tipo SiC plokštelės yra puslaidininkių inovacijų priešakyje, sudarančios tvirtą pagrindą kuriant didelio našumo elektroninius prietaisus. Šios plokštelės sukurtos taip, kad atitiktų griežtus šiuolaikinių elektroninių programų, nuo galios elektronikos iki aukšto dažnio grandinių, reikalavimus.

N tipo legiravimas šiose SiC plokštelėse padidina jų elektrinį laidumą, todėl jie idealiai tinka įvairioms reikmėms, įskaitant galios diodus, tranzistorius ir stiprintuvus. Puikus laidumas užtikrina minimalius energijos nuostolius ir efektyvų veikimą, o tai labai svarbu įrenginiams, dirbantiems aukštu dažniu ir galia.

„Semicera“ naudoja pažangias gamybos technologijas, kad gamintų išskirtinio paviršiaus vienodumo ir minimalių defektų turinčias SiC plokšteles. Šis tikslumo lygis yra būtinas programoms, kurioms reikalingas pastovus veikimas ir ilgaamžiškumas, pavyzdžiui, aviacijos, automobilių ir telekomunikacijų pramonėje.

„Semicera“ 8 colių N tipo SiC plokštelių įtraukimas į savo gamybos liniją suteikia pagrindą kurti komponentus, kurie gali atlaikyti atšiaurią aplinką ir aukštą temperatūrą. Šios plokštelės puikiai tinka energijos konvertavimui, radijo dažnių technologijoms ir kitoms reiklioms sritims.

Pasirinkus Semicera 8 colių N tipo SiC plokšteles, reikia investuoti į produktą, kuriame aukštos kokybės medžiagų mokslas derinamas su tikslia inžinerija. Semicera yra įsipareigojusi tobulinti puslaidininkių technologijų galimybes, siūlydama sprendimus, kurie padidina jūsų elektroninių prietaisų efektyvumą ir patikimumą.

Daiktai

Gamyba

Tyrimas

Manekenas

Krištolo parametrai

Politipas

4H

Paviršiaus orientacijos klaida

<11-20 >4±0,15°

Elektriniai parametrai

Dopantas

n tipo azotas

Atsparumas

0,015-0,025 omo cm

Mechaniniai parametrai

Skersmuo

150,0±0,2 mm

Storis

350±25 μm

Pirminė plokščia orientacija

[1–100]±5°

Pirminis plokščias ilgis

47,5±1,5 mm

Antrinis butas

Nėra

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤ 3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Lankas

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Metmenys

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Priekinis (Si-face) šiurkštumas (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktūra

Mikrovamzdžio tankis

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Metalo priemaišos

≤5E10 atomų/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Priekinė kokybė

Priekyje

Si

Paviršiaus apdaila

Si-face CMP

Dalelės

≤60ea/vaflė (dydis≥0,3μm)

NA

Įbrėžimai

≤5ea/mm. Bendras ilgis ≤ Skersmuo

Bendras ilgis≤2*Skersmuo

NA

Apelsinų žievelės / kauliukai / dėmės / dryžiai / įtrūkimai / užteršimas

Nėra

NA

Kraštų drožlės / įdubos / lūžiai / šešiakampės plokštės

Nėra

Politipinės zonos

Nėra

Bendras plotas≤20 %

Bendras plotas≤30 %

Priekinis lazerinis žymėjimas

Nėra

Nugaros kokybė

Nugaros apdaila

C-face CMP

Įbrėžimai

≤5ea/mm, Kaupiamasis ilgis≤2*Skersmuo

NA

Nugaros defektai (kraštų įtrūkimai/įtraukos)

Nėra

Nugaros šiurkštumas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Nugaros lazerinis žymėjimas

1 mm (nuo viršutinio krašto)

Kraštas

Kraštas

Nusklembta

Pakuotė

Pakuotė

Epi-ready su vakuumine pakuote

Kelių plokštelių kasetinė pakuotė

*Pastabos: „NA“ reiškia, kad nėra prašymo. Nepaminėti elementai gali būti susiję su SEMI-STD.

tech_1_2_dydis
SiC plokštelės

  • Ankstesnis:
  • Kitas: