English

Kinijos naujas produktas spinduliuojančio paviršiaus elementas 230 mm 2100 W 230 V keraminis šildymo elementas

Kinija Naujas produktas spinduliuojančio paviršiaus elementas 230 mm 2100 W 230 V keraminis šildymo elementas Teminis vaizdas
  • Kinijos naujas produktas spinduliuojančio paviršiaus elementas 230 mm 2100 W 230 V keraminis šildymo elementas

Trumpas aprašymas:

Silicio karbidas yra naujo tipo keramika, pasižyminti didelėmis sąnaudomis ir puikiomis medžiagų savybėmis.Dėl tokių savybių kaip didelis stiprumas ir kietumas, atsparumas aukštai temperatūrai, didelis šilumos laidumas ir atsparumas cheminei korozijai, silicio karbidas gali beveik atlaikyti bet kokią cheminę terpę.Todėl SiC yra plačiai naudojamas naftos gavybos, chemijos, mašinų ir oro erdvėje, net branduolinė energija ir kariuomenė turi ypatingų SIC reikalavimų.Įprastas pritaikymas, kurį galime pasiūlyti, yra siurblio, vožtuvo ir apsauginių šarvų sandarinimo žiedai ir kt.


Produkto detalė

Produkto etiketės

Kiekvienas mūsų didelės veiklos pajamų komandos narys vertina klientų reikalavimus ir organizacijos komunikaciją, skirtą Kinijai. Naujo produkto spinduliuojančio paviršiaus elementas 230 mm 2100 W 230 V keraminis šildymo elementas. Mes vertiname aukščiausią kokybę nei kiekį.Prieš eksportuojant plaukus, gydymo metu atliekama griežta kokybės kontrolės patikra pagal tarptautinius puikius standartus.
Kiekvienas mūsų didelės veiklos pajamų komandos narys vertina klientų reikalavimus ir organizacijos komunikacijąKinijos keramika ir spinduliavimas, Mūsų įmonė primygtinai laikosi principo „Pirmiausia kokybė, tvarus vystymasis“ ir savo plėtojamu tikslu laiko „Sąžiningą verslą, abipusę naudą“.Visi nariai nuoširdžiai dėkoja visiems seniems ir naujiems klientams.Mes ir toliau sunkiai dirbsime ir pasiūlysime Jums aukščiausios kokybės prekes bei paslaugas.


Privalumai

Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje
Puikus atsparumas korozijai
Geras atsparumas dilimui
Aukštas šilumos laidumo koeficientas
Savaiminis tepimas, mažas tankis
Didelis kietumas
Individualus dizainas.

HGF (2)
HGF (1)

Programos

-Dėvėjimui atsparus laukas: įvorė, plokštė, smėliavimo antgalis, ciklono pamušalas, šlifavimo statinė ir kt.
-Aukštos temperatūros laukas: siC plokštė, gesinimo krosnies vamzdis, spinduliavimo vamzdis, tiglis, šildymo elementas, volelis, sija, šilumokaitis, šalto oro vamzdis, degiklio antgalis, termoporos apsauginis vamzdis, SiC valtis, krosnies automobilio konstrukcija, seteris ir kt.
-Silicio karbido puslaidininkis: SiC plokštelė, sic griebtuvas, sic irklas, sic kasetė, sic difuzijos vamzdis, plokštelių šakutė, siurbimo plokštė, kreiptuvas ir kt.
-Silicio karbido sandarinimo laukas: visų rūšių sandarinimo žiedas, guolis, įvorė ir kt.
- Fotovoltinis laukas: konsolinis irklas, šlifavimo statinė, silicio karbido volelis ir kt.
- Ličio baterijų laukas

vafliai (1)

vafliai (2)

Fizinės SiC savybės

Nuosavybė Vertė Metodas
Tankis 3,21 g/cc Kriauklė-plūdė ir matmenys
Specifinė šiluma 0,66 J/g °K Impulsinė lazerio blykstė
Lenkimo stiprumas 450 MPa560 MPa 4 taškų lenkimas, RT4 taškas, 1300°
Tvirtumas lūžiams 2,94 MPa m1/2 Mikroįdubimas
Kietumas 2800 Vicker's, 500g krovinys
Elastic ModulusYoung modulis 450 GPa430 GPa 4 pt lenkimas, RT4 pt lenkimas, 1300 °C
Grūdų dydis 2–10 µm SEM

Šiluminės SiC savybės

Šilumos laidumas 250 W/m °K Lazerio blykstės metodas, RT
Šiluminė plėtra (CTE) 4,5 x 10-6 °K Kambario temperatūra iki 950 °C, silicio dilatometras

Techniniai parametrai

Prekė Vienetas Duomenys
RBSiC (SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
SiC turinys % 85 75 99 99,9 ≥ 99
Nemokamas silicio kiekis % 15 0 0 0 0
Maksimali aptarnavimo temperatūra ℃ 1380 m 1450 m 1650 m 1620 m 1400
Tankis g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Atviras poringumas % 0 13-15 0 15-18 7-8
Lenkimo stipris 20 ℃ Мpa 250 160 380 100 /
Lenkimo stipris 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Tamprumo modulis 20 ℃ Gpa 330 580 420 240 /
Tamprumo modulis 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Šilumos laidumas 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Šiluminio plėtimosi koeficientas K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115 m / 2800 / /

CVD silicio karbido dangos, esančios ant perkristalizuotų silicio karbido keramikos gaminių išorinio paviršiaus, grynumas gali siekti daugiau nei 99,9999%, kad atitiktų puslaidininkių pramonės klientų poreikius.

Paveikslėliai

vafliai (3)

vafliai (4)

vafliai (5) vafliai (6)

Kiekvienas mūsų didelės veiklos pajamų komandos narys vertina klientų reikalavimus ir organizacijos komunikaciją, skirtą Kinijai. Naujo produkto spinduliuojančio paviršiaus elementas 230 mm 2100 W 230 V keraminis šildymo elementas. Mes vertiname aukščiausią kokybę nei kiekį.Prieš eksportuojant plaukus, gydymo metu atliekama griežta kokybės kontrolės patikra pagal tarptautinius puikius standartus.
Kinijos naujas produktasKinijos keramika ir spinduliavimas, Mūsų įmonė primygtinai laikosi principo „Pirmiausia kokybė, tvarus vystymasis“ ir savo plėtojamu tikslu laiko „Sąžiningą verslą, abipusę naudą“.Visi nariai nuoširdžiai dėkoja visiems seniems ir naujiems klientams.Mes ir toliau sunkiai dirbsime ir pasiūlysime Jums aukščiausios kokybės prekes bei paslaugas.

  • Ankstesnis:
  • Kitas:

    • SUSIJĘ PRODUKTAI