Tvirtos CVD SILICON CARBIDE dalys yra pripažintos kaip pirminis pasirinkimas RTP/EPI žiedams ir pagrindams bei plazminių ertmių dalims, kurios veikia aukštoje sistemos reikalaujamoje darbinėje temperatūroje (>1500 ℃), grynumo reikalavimai yra ypač aukšti (>99,9995%) ir našumas yra ypač geras, kai atsparumas chemikalams yra ypač didelis. Šiose medžiagose antrinių fazių grūdelio pakraštyje nėra, todėl jų komponentai gamina mažiau dalelių nei kitos medžiagos. Be to, šiuos komponentus galima valyti naudojant karštą HF/HCl, kuris mažai suyra, todėl susidaro mažiau dalelių ir ilgesnis tarnavimo laikas.
