Aukštos kokybės pritaikytas silicio karbido konsolinis irklas

Trumpas aprašymas:

„Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd.“ yra pirmaujanti tiekėja, kuri specializuojasi plokščių ir pažangių puslaidininkinių medžiagų gamyboje.Esame pasiryžę teikti aukštos kokybės, patikimus ir novatoriškus produktus puslaidininkių gamybai,fotovoltinės pramonėsir kitose susijusiose srityse.

Mūsų produktų linija apima SiC / TaC dengtus grafito gaminius ir keramikos gaminius, apimančius įvairias medžiagas, tokias kaip silicio karbidas, silicio nitridas, aliuminio oksidas ir kt.

Būdami patikimi tiekėjai, suprantame eksploatacinių medžiagų svarbą gamybos procese ir esame įsipareigoję tiekti produktus, atitinkančius aukščiausius kokybės standartus, kad patenkintume klientų poreikius.

Atsiųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Semicera pristato aukštos kokybės užsakymąsilicio karbido konsolinės mentelėssukurta siekiant pagerinti puslaidininkių gamybos procesus. NovatoriškasSiC irklasdizainas užtikrina išskirtinį ilgaamžiškumą ir aukštą šiluminę varžą, todėl tai yra esminis elementas tvarkant plokšteles sudėtingoje aukštos temperatūros aplinkoje.

TheSilicio karbido irklassukurtas taip, kad atlaikytų ekstremalius šiluminius ciklus, išlaikant konstrukcijos vientisumą, užtikrinant patikimą plokštelių transportavimą kritinėse puslaidininkių gamybos fazėse. Su puikiu mechaniniu stiprumu, taivaflių valtissumažina plokštelių pažeidimo riziką, todėl gaunamas didesnis derlius ir pastovi gamybos kokybė.

Viena iš pagrindinių Semicera SiC irklų naujovių yra pritaikytos dizaino galimybės. Pritaikytas prie konkrečių gamybos poreikių, irklas siūlo lankstumą integruojantis su įvairiomis įrangos sąrankomis, todėl yra idealus sprendimas šiuolaikiniams gamybos procesams. Lengva, bet tvirta konstrukcija leidžia lengvai valdyti ir sumažina veikimo prastovos laiką, o tai prisideda prie geresnio puslaidininkių gamybos efektyvumo.

Be šiluminių ir mechaninių savybių,Silicio karbido irklaspasižymi puikiu cheminiu atsparumu, leidžiančiu patikimai veikti net atšiaurioje cheminėje aplinkoje. Dėl to jis ypač tinkamas naudoti procesuose, apimančiuose ėsdinimą, nusodinimą ir apdorojimą aukštoje temperatūroje, kai norint užtikrinti aukštos kokybės produkciją, labai svarbu išlaikyti plokštelės vientisumą.

Perkristalizuoto silicio karbido fizinės savybės
Turtas	Tipinė vertė
Darbinė temperatūra (°C)	1600°C (su deguonimi), 1700°C (redukuojanti aplinka)
SiC turinys	> 99,96 %
Nemokamas Si turinys	< 0,1 %
Tūrinis tankis	2,60-2,70 g/cm³
Tariamas poringumas	< 16 %
Suspaudimo stiprumas	> 600 MPa
Šalto lenkimo stiprumas	80–90 MPa (20 °C)
Stiprumas karštam lenkimui	90–100 MPa (1400 °C)
Šiluminis plėtimasis @1500°C	4,70 10^-6/°C
Šilumos laidumas @1200°C	23 W/m•K
Tamprumo modulis	240 GPa
Atsparumas šiluminiam smūgiui	Be galo geras