Aukštos kokybės tantalo karbido (TaC) danga

Trumpas aprašymas:

Semicera TaC danga pasižymi išskirtiniu stabilumu aukštoje temperatūroje, pranokdama SiC ir atlaiko iki 2300 ℃. Idealiai tinka kosmoso ir trečios kartos puslaidininkių monokristalų auginimui, užtikrina atsparumą korozijai, oksidacijai ir dilimui. Pasirinkite Semicera, jei norite aukščiausio lygio gamyklos gamybos ir kokybės.

Atsiųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

„Semicera“ teikia specializuotas tantalo karbido (TaC) dangas įvairiems komponentams ir laikikliams.Semicera pirmaujantis dengimo procesas leidžia tantalo karbido (TaC) dangoms pasiekti aukštą grynumą, stabilumą aukštoje temperatūroje ir aukštą cheminių medžiagų toleranciją, gerinant SIC/GAN kristalų ir EPI sluoksnių produkto kokybę (Grafitu padengtas TaC susceptorius) ir pratęsti pagrindinių reaktoriaus komponentų tarnavimo laiką. Tantalo karbido TaC dangos naudojimas yra skirtas išspręsti briaunų problemą ir pagerinti kristalų augimo kokybę, o Semicera proveržis išsprendė tantalo karbido dengimo technologiją (CVD), pasiekdamas tarptautinį pažangų lygį.

Po daugelio metų plėtros Semicera užkariavo technologijąCVD TaCbendromis MTEP skyriaus pastangomis. SiC plokštelių augimo procese nesunkiai atsiranda defektų, tačiau panaudojusTaC, skirtumas yra reikšmingas. Žemiau pateikiamas plokštelių su TaC ir be jos, taip pat Semicera dalių, skirtų monokristalų auginimui, palyginimas

TaC dengta dalis, skirta augti monokristalams

Apsaugos nuo dilimo tantalo karbido danga_ Apsaugo įrangą nuo nusidėvėjimo ir korozijos Teminis vaizdas

TaC dengtas grafito žiedas

su TaC ir be jo

Panaudojus TaC (dešinėje)

Be to, Semicera TaC dangos gaminių tarnavimo laikas yra ilgesnis ir atsparesnis aukštai temperatūrai nei SiC dangos. Po ilgo laiko laboratorinių matavimų duomenų mūsų TaC gali dirbti ilgą laiką ne aukštesnėje kaip 2300 laipsnių Celsijaus temperatūroje. Toliau pateikiami keli mūsų pavyzdžiai: