Funkcijos:
Puslaidininkinėmis savybėmis pasižyminčios keramikos savitoji varža yra apie 10-5~ 107ω.cm, o keraminių medžiagų puslaidininkines savybes galima gauti legiruojant arba sukeliant gardelės defektus, atsiradusius dėl stechiometrinio nuokrypio.Keramika naudojant šį metodą apima TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 ir SiC.Skirtingos puslaidininkinės keramikos savybės yra tai, kad jų elektrinis laidumas kinta priklausomai nuo aplinkos, todėl galima gaminti įvairių tipų keramikai jautrius prietaisus.
Tokie kaip jautrūs šilumai, jautrūs dujoms, jautrūs drėgmei, jautrūs slėgiui, jautrūs šviesai ir kiti jutikliai.Puslaidininkinės špinelio medžiagos, tokios kaip Fe3O4, sumaišomos su nelaidžiomis špinelio medžiagomis, tokiomis kaip MgAl2O4, kontroliuojamuose kietuose tirpaluose.
MgCr2O4 ir Zr2TiO4 gali būti naudojami kaip termistoriai, kurie yra kruopščiai kontroliuojami varžos įtaisai, kurie skiriasi priklausomai nuo temperatūros.ZnO gali būti modifikuojamas pridedant oksidų, tokių kaip Bi, Mn, Co ir Cr.
Dauguma šių oksidų nėra kietai ištirpę ZnO, o deformuojasi ant grūdelių ribos, kad susidarytų barjerinis sluoksnis, kad būtų gautos ZnO varistoriaus keramikos medžiagos, ir tai yra medžiaga, pasižyminti geriausiomis varistoriaus keramikos savybėmis.
SiC legiravimas (pvz., Žmogaus suodžiai, grafito milteliai) gali paruošti aukštoje temperatūroje stabilias puslaidininkines medžiagas, naudojamas kaip įvairios varžos kaitinimo elementai, tai yra silicio anglies strypai aukštos temperatūros elektrinėse krosnyse.Kontroliuokite SiC varžą ir skerspjūvį, kad pasiektumėte beveik viską, ko norite
Darbo sąlygos (iki 1500 ° C), padidinus jo varžą ir sumažinus kaitinimo elemento skerspjūvį, padidės generuojama šiluma.Silicio anglies strypas ore įvyks oksidacijos reakcija, temperatūra paprastai ribojama iki 1600 ° C žemiau, įprasto tipo silicio anglies strypas
Saugi darbo temperatūra yra 1350°C.SiC Si atomas pakeičiamas N atomu, nes N turi daugiau elektronų, yra elektronų perteklius, o jo energijos lygis artimas apatinei laidumo juostai ir jį lengva pakelti į laidumo juostą, todėl ši energijos būsena taip pat vadinamas donoro lygiu, ši puse
Laidininkai yra N tipo puslaidininkiai arba elektroniškai laidūs puslaidininkiai.Jei SiC naudojamas Al atomas Si atomui pakeisti, dėl elektrono trūkumo susidariusios medžiagos energijos būsena yra artima aukščiau esančiai valentinei elektronų juostai, ji lengvai priima elektronus, todėl vadinama akceptuojančia.
Pagrindinis energijos lygis, kuris valentinėje juostoje palieka laisvą vietą, kuri gali laiduoti elektronus, nes laisva padėtis veikia taip pat, kaip teigiamo krūvio nešiklis, vadinamas P tipo puslaidininkiu arba skyliniu puslaidininkiu (H. Sarman, 1989).
Paskelbimo laikas: 2023-02-02