Šiandieninėje elektroninių technologijų srityje puslaidininkinės medžiagos vaidina lemiamą vaidmenį.Tarp jų, silicio karbidas (SiC), kaip plataus diapazono puslaidininkinė medžiaga, pasižyminti puikiais eksploataciniais pranašumais, tokiais kaip didelis elektrinis laukas, didelis soties greitis, didelis šilumos laidumas ir kt., palaipsniui tampa tyrėjų ir inžinierių dėmesio centre.Silicio karbido epitaksinis diskas, kaip svarbi jo dalis, parodė didelį pritaikymo potencialą.
一、epitaksinio disko veikimas: visi pranašumai
1. Itin didelio suskaidymo elektrinis laukas: palyginti su tradicinėmis silicio medžiagomis, silicio karbido elektrinis laukas yra daugiau nei 10 kartų.Tai reiškia, kad tomis pačiomis įtampos sąlygomis elektroniniai prietaisai, naudojantys silicio karbido epitaksinius diskus, gali atlaikyti didesnes sroves ir taip sukurti aukštos įtampos, aukšto dažnio ir didelės galios elektroninius prietaisus.
2. Didelio greičio prisotinimo greitis: silicio karbido prisotinimo greitis yra daugiau nei 2 kartus didesnis nei silicio.Dirbant aukštoje temperatūroje ir dideliu greičiu, silicio karbido epitaksinis diskas veikia geriau, o tai žymiai pagerina elektroninių prietaisų stabilumą ir patikimumą.
3. Didelio efektyvumo šilumos laidumas: silicio karbido šilumos laidumas yra daugiau nei 3 kartus didesnis nei silicio.Ši funkcija leidžia elektroniniams prietaisams geriau išsklaidyti šilumą nuolat veikiant didelės galios, taip išvengiant perkaitimo ir pagerinant įrenginio saugumą.
4. Puikus cheminis stabilumas: ekstremaliose aplinkose, tokiose kaip aukšta temperatūra, aukštas slėgis ir stipri spinduliuotė, silicio karbido veikimas išlieka stabilus, kaip ir anksčiau.Ši funkcija leidžia silicio karbido epitaksiniam diskui išlaikyti puikų našumą sudėtingoje aplinkoje.
Gamybos procesas: kruopščiai išraižytas
Pagrindiniai SIC epitaksinio disko gamybos procesai apima fizinį nusodinimą iš garų (PVD), cheminį nusodinimą iš garų (CVD) ir epitaksinį augimą.Kiekvienas iš šių procesų turi savo ypatybes ir reikalauja tikslios įvairių parametrų kontrolės, kad būtų pasiekti geriausi rezultatai.
1. PVD procesas: išgarinant arba purškiant ir kitais metodais SiC taikinys nusodinamas ant pagrindo ir susidaro plėvelė.Šiuo metodu paruošta plėvelė pasižymi dideliu grynumu ir geru kristališkumu, tačiau gamybos greitis yra palyginti lėtas.
2. CVD procesas: suskaidžius silicio karbido šaltinio dujas aukštoje temperatūroje, jos nusėda ant pagrindo ir susidaro plona plėvelė.Šiuo metodu paruoštos plėvelės storis ir vienodumas yra kontroliuojami, tačiau grynumas ir kristališkumas yra prasti.
3. Epitaksinis augimas: SiC epitaksinio sluoksnio augimas ant monokristalinio silicio ar kitų monokristalinių medžiagų cheminio nusodinimo garais metodu.Šiuo metodu paruoštas epitaksinis sluoksnis gerai dera ir puikiai veikia su pagrindo medžiaga, tačiau kaina yra palyginti didelė.
三、 Taikymo perspektyva: apšvieskite ateitį
Nuolat tobulėjant galios elektronikos technologijoms ir didėjant didelio našumo ir didelio patikimumo elektroninių prietaisų paklausai, silicio karbido epitaksinis diskas turi platų pritaikymo perspektyvą puslaidininkinių prietaisų gamyboje.Jis plačiai naudojamas gaminant aukšto dažnio didelės galios puslaidininkinius įrenginius, tokius kaip galios elektroniniai jungikliai, inverteriai, lygintuvai ir kt. Be to, jis taip pat plačiai naudojamas saulės elementuose, šviesos dioduose ir kitose srityse.
Dėl savo unikalių našumo pranašumų ir nuolatinio gamybos proceso tobulinimo silicio karbido epitaksinis diskas palaipsniui demonstruoja savo didelį potencialą puslaidininkių srityje.Turime pagrindo manyti, kad mokslo ir technologijų ateityje tai vaidins svarbesnį vaidmenį.
Paskelbimo laikas: 2023-11-28