Silicio karbido dangos paruošimo būdas

Šiuo metu SiC dangos paruošimo metodai daugiausia apima gelio-zolio metodą, įterpimo metodą, dengimo teptuku metodą, plazminio purškimo metodą, cheminės dujų reakcijos metodą (CVR) ir cheminio nusodinimo garais metodą (CVD).

Įdėjimo būdas:

Metodas yra tam tikras aukštos temperatūros kietosios fazės sukepinimas, kurio metu daugiausia naudojamas Si miltelių ir C miltelių mišinys kaip įterpimo milteliai, grafito matrica dedama į įterpimo miltelius, o aukštoje temperatūroje sukepinimas atliekamas inertinėse dujose. , ir galiausiai ant grafito matricos paviršiaus gaunama SiC danga.Procesas yra paprastas, o dangos ir pagrindo derinys yra geras, tačiau dangos vienodumas storio kryptimi yra prastas, todėl nesunku padaryti daugiau skylių ir dėl to sumažėja atsparumas oksidacijai.

Dengimo teptuku būdas:

Dengimo teptuku metodas daugiausia yra skystos žaliavos tepimas ant grafito matricos paviršiaus, o tada žaliavos sukietėjimas tam tikroje temperatūroje, kad būtų paruošta danga.Procesas paprastas ir kaina nedidelė, tačiau teptuku dengimo metodu paruošta danga yra silpna kartu su pagrindu, dangos vienodumas yra prastas, danga plona ir atsparumas oksidacijai mažas, todėl reikalingi kiti metodai. tai.

Plazminio purškimo būdas:

Plazminio purškimo metodas daugiausia yra ištirpusių arba pusiau išlydytų žaliavų purškimas ant grafito matricos paviršiaus plazminiu pistoletu, o po to sukietėja ir sujungiama, kad susidarytų danga.Metodas yra paprastas naudoti ir gali paruošti gana tankią silicio karbido dangą, tačiau šiuo metodu paruošta silicio karbido danga dažnai yra per silpna ir sukelia silpną atsparumą oksidacijai, todėl ji paprastai naudojama ruošiant SiC kompozicinę dangą, siekiant pagerinti. dangos kokybė.

Gelio-zolio metodas:

Gelio-zolio metodas daugiausia yra vienodo ir skaidraus zolio tirpalo paruošimas, padengiantis matricos paviršių, džiovinimas į gelį ir sukepinimas, kad būtų gauta danga.Šis metodas yra paprastas naudoti ir nebrangus, tačiau pagaminta danga turi tam tikrų trūkumų, tokių kaip mažas atsparumas šiluminiam smūgiui ir lengvas įtrūkimas, todėl ji negali būti plačiai naudojama.

Cheminė dujų reakcija (CVR):

CVR daugiausia generuoja SiC dangą, naudodamas Si ir SiO2 miltelius, kad sukurtų SiO garą aukštoje temperatūroje, o C medžiagos substrato paviršiuje vyksta daugybė cheminių reakcijų.Šiuo metodu paruošta SiC danga yra glaudžiai surišta su pagrindu, tačiau reakcijos temperatūra yra aukštesnė ir kaina didesnė.

Cheminis nusodinimas garais (CVD):

Šiuo metu CVD yra pagrindinė SiC dangos paruošimo ant pagrindo paviršiaus technologija.Pagrindinis procesas yra dujinės fazės reaguojančios medžiagos fizikinių ir cheminių reakcijų serija ant pagrindo paviršiaus, o galiausiai SiC danga paruošiama nusodinant ant pagrindo paviršiaus.CVD technologija paruošta SiC danga yra glaudžiai sujungta su pagrindo paviršiumi, o tai gali veiksmingai pagerinti substrato medžiagos atsparumą oksidacijai ir atsparumą abliaciniam poveikiui, tačiau šio metodo nusodinimo laikas yra ilgesnis, o reakcijos dujos turi tam tikrą toksiškumą. dujų.