Kaip vienas iš pagrindinių komponentųMOCVD įranga, grafito pagrindas yra pagrindo nešiklis ir kaitinimo korpusas, kuris tiesiogiai lemia plėvelės medžiagos vienodumą ir grynumą, todėl jo kokybė tiesiogiai veikia epitaksinio lakšto paruošimą, o kartu ir padidėjus sluoksnių skaičiui. naudojimas ir darbo sąlygų pasikeitimas, jį labai lengva dėvėti, priklauso eksploatacinėms medžiagoms.
Nors grafitas turi puikų šilumos laidumą ir stabilumą, jis turi gerą pranašumą kaip pagrindinis komponentasMOCVD įranga, tačiau gamybos procese dėl korozinių dujų ir metalo organinių medžiagų likučių grafitas surūdys miltelius, o grafito pagrindo tarnavimo laikas labai sumažės.Tuo pačiu metu krintantys grafito milteliai užterš lustą.
Dengimo technologijos atsiradimas gali užtikrinti paviršiaus miltelių fiksavimą, padidinti šilumos laidumą ir išlyginti šilumos pasiskirstymą, o tai tapo pagrindine šios problemos sprendimo technologija.Grafito pagrindasMOCVD įrangaNaudojimo aplinkoje grafito pagrindo paviršiaus danga turi atitikti šias charakteristikas:
(1) Grafito pagrindą galima visiškai apvynioti, o tankis yra geras, kitaip grafito pagrindą lengva korozuoti korozinėse dujose.
(2) Derinio stiprumas su grafito pagrindu yra didelis, kad būtų užtikrinta, jog po kelių aukštos ir žemos temperatūros ciklų danga nebūtų lengva nukristi.
(3) Jis turi gerą cheminį stabilumą, kad būtų išvengta dangos gedimo esant aukštai temperatūrai ir korozinei atmosferai.
SiC turi atsparumo korozijai, didelio šilumos laidumo, atsparumo šiluminiam smūgiui ir didelio cheminio stabilumo pranašumus ir gali gerai veikti GaN epitaksinėje atmosferoje.Be to, SiC šiluminio plėtimosi koeficientas labai mažai skiriasi nuo grafito, todėl SiC yra tinkamiausia medžiaga grafito pagrindo paviršiaus dangai.
Šiuo metu įprastas SiC daugiausia yra 3C, 4H ir 6H tipo, o skirtingų kristalų tipų SiC panaudojimas yra skirtingas.Pavyzdžiui, 4H-SiC gali gaminti didelės galios įrenginius;6H-SiC yra stabiliausias ir gali gaminti fotoelektrinius prietaisus;Dėl savo struktūros panašios į GaN, 3C-SiC gali būti naudojamas GaN epitaksiniam sluoksniui gaminti ir SiC-GaN RF prietaisams gaminti.3C-SiC taip pat plačiai žinomas kaipβ-SiC ir svarbus jo panaudojimasβ-SiC yra kaip plėvelė ir dangos medžiaga, todėlβ-SiC šiuo metu yra pagrindinė dengimo medžiaga.
Paskelbimo laikas: 2023-11-06