Puslaidininkinės silicio karbido (SiC) plokštelės, ši nauja medžiaga, kuri pastaraisiais metais pamažu atsirado, savo unikaliomis fizinėmis ir cheminėmis savybėmis suteikė puslaidininkių pramonei naujos gyvybingumo.SiC plokštelės, kaip žaliavas naudojant monokristalus, yra kruopščiai auginamos cheminiu garų nusodinimu (CVD), o jų išvaizda suteikia galimybę gaminti aukštos temperatūros, aukšto dažnio ir didelės galios elektroninius prietaisus.
Galios elektronikos srityje SiC plokštelės naudojamos didelio efektyvumo galios keitiklių, įkroviklių, maitinimo šaltinių ir kitų gaminių gamyboje.Ryšių srityje jis naudojamas aukšto dažnio ir didelės spartos RF prietaisams bei optoelektroniniams prietaisams gaminti, padedant tvirtą kertinį akmenį informacijos amžiaus greitkeliui.Automobilių elektronikos srityje SiC plokštelės sukuria aukštos įtampos, labai patikimus automobilių elektroninius prietaisus, užtikrinančius vairuotojo vairavimo saugumą.
Nuolat tobulėjant technologijoms, SiC plokštelių gamybos technologija tampa vis brandesnė, o kaina palaipsniui mažėja.Ši nauja medžiaga rodo didelį potencialą gerinant įrenginio veikimą, mažinant energijos suvartojimą ir didinant produktų konkurencingumą.Žvelgiant į ateitį, SiC plokštelės vaidins svarbesnį vaidmenį puslaidininkių pramonėje ir suteiks daugiau patogumo ir saugumo mūsų gyvenimui.
Nekantriai lauksime šios ryškios puslaidininkinės žvaigždės – SiC plokštelės, kad mokslo ir technologijų pažangos ateitis apibūdintų dar nuostabesnį skyrių.
Paskelbimo laikas: 2023-11-27