Silicio karbidas yra sintetinis karbidas su SiC molekule. Įjungus energiją, silicio dioksidas ir anglis paprastai susidaro aukštoje, aukštesnėje nei 2000 °C temperatūroje. Silicio karbido teorinis tankis yra 3,18 g/cm3, Moso kietumas seka deimantą, o mikrokietumas yra 3300 kg/mm3 tarp 9,2 ir 9,8. Dėl didelio kietumo ir didelio atsparumo dilimui jis pasižymi atsparumo aukštai temperatūrai savybėmis ir yra naudojamas įvairioms dilimui, korozijai ir aukštai temperatūrai atsparioms mechaninėms dalims. Tai naujos rūšies dilimui atsparios keramikos technologija.
1, Cheminės savybės.
(1) Atsparumas oksidacijai: kai silicio karbido medžiaga ore kaitinama iki 1300 ° C, silicio dioksido silicio karbido kristalo paviršiuje pradeda susidaryti apsauginis silicio dioksido sluoksnis. Sustorėjus apsauginiam sluoksniui vidinis silicio karbidas toliau oksiduojasi, todėl silicio karbidas turi gerą atsparumą oksidacijai. Kai temperatūra pasiekia daugiau nei 1900 K (1627 ° C), silicio dioksido apsauginė plėvelė pradeda pažeisti, o silicio karbido oksidacija sustiprėja, todėl 1900 K yra silicio karbido darbinė temperatūra oksiduojančioje atmosferoje.
(2) Atsparumas rūgštims ir šarmams: dėl silicio dioksido apsauginės plėvelės vaidmens silicio karbidas turi apsauginės silicio dioksido plėvelės savybių.
2, fizinės ir mechaninės savybės.
(1) Tankis: įvairių silicio karbido kristalų dalelių tankis yra labai artimas, paprastai laikomas 3,20 g/mm3, o natūralus silicio karbido abrazyvų tankis yra 1,2–1,6 g/mm3, priklausomai nuo dalelių dydžio. dalelių dydžio sudėtis ir dalelių dydžio forma.
(2) Kietumas: Silicio karbido Moho kietumas yra 9,2, Wessler mikrotankis yra 3000–3300 kg/mm2, Knopp kietumas yra 2670–2815 kg/mm, abrazyvas yra didesnis nei korundo, artimas deimantui, kubinis. boro nitridas ir boro karbidas.
(3) Šilumos laidumas: silicio karbido gaminiai turi didelį šilumos laidumą, mažą šiluminio plėtimosi koeficientą, didelį atsparumą šiluminiam smūgiui ir yra aukštos kokybės ugniai atsparios medžiagos.
3, elektrinės savybės.
| Prekė | Vienetas | Duomenys | Duomenys | Duomenys | Duomenys | Duomenys |
| RBsic (sisic) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| SiC turinys | % | 85 | 76 | 99 | ≥ 99 | ≥ 90 |
| Nemokamas silicio kiekis | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Maksimali aptarnavimo temperatūra | ℃ | 1380 m | 1450 m | 1650 m | 1620 m | 1400 |
| Tankis | g/cm^3 | 3.02 | 2,75-2,85 | 3.08-3.16 | 2,65-2,75 | 2,75-2,85 |
| Atviras poringumas | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Lenkimo stipris 20 ℃ | Mpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Lenkimo stipris 1200 ℃ | Mpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Tamprumo modulis 20 ℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Tamprumo modulis 1200 ℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
| Šilumos laidumas 1200 ℃ | W/mk | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Šiluminio plėtimosi koeficientas | K^-lx10^-8 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | kg/m^m2 | 2115 m | / | 2800 | / | / |
