Silicio plėvelė

Trumpas aprašymas:

„Semicera“ silicio plėvelė yra didelio našumo medžiaga, sukurta įvairiems pažangiems puslaidininkių ir elektronikos pramonės reikmėms. Pagaminta iš aukštos kokybės silicio, ši plėvelė pasižymi išskirtiniu vienodumu, terminiu stabilumu ir elektrinėmis savybėmis, todėl yra idealus sprendimas plonasluoksnių nusodinimų, MEMS (mikroelektromechaninių sistemų) ir puslaidininkinių įrenginių gamybai.


Produkto detalė

Produkto etiketės

„Semicera“ silicio plėvelė yra aukštos kokybės, tiksliai sukurta medžiaga, sukurta taip, kad atitiktų griežtus puslaidininkių pramonės reikalavimus. Šis plonasluoksnis sprendimas, pagamintas iš gryno silicio, pasižymi puikiu vienodumu, dideliu grynumu ir išskirtinėmis elektrinėmis bei šiluminėmis savybėmis. Jis idealiai tinka naudoti įvairiose puslaidininkių programose, įskaitant Si Wafer, SiC substrato, SOI Wafer, SiN substrato ir Epi-Wafer gamybą. „Semicera“ silicio plėvelė užtikrina patikimą ir pastovų veikimą, todėl ji yra būtina pažangios mikroelektronikos medžiaga.

Aukščiausia kokybė ir našumas puslaidininkių gamyboje

„Semicera“ silicio plėvelė yra žinoma dėl savo išskirtinio mechaninio stiprumo, didelio šiluminio stabilumo ir mažo defektų skaičiaus – visa tai yra labai svarbu gaminant didelio našumo puslaidininkius. Nesvarbu, ar ji naudojama gaminant galio oksido (Ga2O3) įrenginius, AlN plokšteles ar Epi-Wafers, plėvelė suteikia tvirtą pagrindą plonos plėvelės nusodinimui ir epitaksiniam augimui. Jo suderinamumas su kitais puslaidininkiniais substratais, tokiais kaip SiC substratas ir SOI plokštelės, užtikrina sklandų integravimą į esamus gamybos procesus, padeda išlaikyti aukštą derlių ir pastovią produkto kokybę.

Taikymas puslaidininkių pramonėje

Puslaidininkių pramonėje Semicera silicio plėvelė naudojama įvairiems tikslams, pradedant Si Wafer ir SOI Wafer gamyba ir baigiant labiau specializuotais tikslais, tokiais kaip SiN substratas ir Epi-Wafer kūrimas. Dėl didelio šios plėvelės grynumo ir tikslumo ji yra būtina gaminant pažangius komponentus, naudojamus visuose – nuo ​​mikroprocesorių ir integrinių grandynų iki optoelektroninių įrenginių.

Silicio plėvelė vaidina svarbų vaidmenį puslaidininkių procesuose, tokiuose kaip epitaksinis augimas, plokštelių sujungimas ir plonos plėvelės nusodinimas. Jo patikimos savybės ypač vertingos pramonės šakoms, kurioms reikalinga labai kontroliuojama aplinka, pavyzdžiui, švarios patalpos puslaidininkių gamyklose. Be to, silicio plėvelę galima integruoti į kasečių sistemas, kad būtų galima efektyviai apdoroti plokšteles ir transportuoti gamybos metu.

Ilgalaikis patikimumas ir nuoseklumas

Vienas iš pagrindinių Semicera silicio plėvelės pranašumų yra jos ilgalaikis patikimumas. Dėl savo puikaus patvarumo ir pastovios kokybės ši plėvelė yra patikimas sprendimas didelės apimties gamybos aplinkoje. Nesvarbu, ar ji naudojama didelio tikslumo puslaidininkiniuose įrenginiuose, ar pažangiose elektroninėse programose, „Semicera“ silicio plėvelė užtikrina, kad gamintojai gali pasiekti aukštą našumą ir patikimumą įvairiuose gaminiuose.

Kodėl verta rinktis „Semicera“ silicio plėvelę?

Silicio plėvelė iš Semicera yra pagrindinė medžiaga, skirta pažangiausioms puslaidininkių pramonės reikmėms. Dėl didelio našumo savybių, įskaitant puikų terminį stabilumą, didelį grynumą ir mechaninį stiprumą, jis yra idealus pasirinkimas gamintojams, norintiems pasiekti aukščiausius puslaidininkių gamybos standartus. Nuo Si Wafer ir SiC substrato iki galio oksido Ga2O3 prietaisų gamybos ši plėvelė užtikrina neprilygstamą kokybę ir našumą.

Naudodami Semicera silicio plėvelę galite pasitikėti gaminiu, atitinkančiu šiuolaikinės puslaidininkių gamybos poreikius, suteikdami patikimą pagrindą naujos kartos elektronikai.

Daiktai

Gamyba

Tyrimas

Manekenas

Krištolo parametrai

Politipas

4H

Paviršiaus orientacijos klaida

<11-20 >4±0,15°

Elektriniai parametrai

Dopantas

n tipo azotas

Atsparumas

0,015-0,025 omo cm

Mechaniniai parametrai

Skersmuo

150,0±0,2 mm

Storis

350±25 μm

Pirminė plokščia orientacija

[1–100]±5°

Pirminis plokščias ilgis

47,5±1,5 mm

Antrinis butas

Nėra

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤ 3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Lankas

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Metmenys

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Priekinis (Si-face) šiurkštumas (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktūra

Mikrovamzdžio tankis

<1 e/cm2

<10 e/cm2

<15 e/cm2

Metalo priemaišos

≤5E10 atomų/cm2

NA

BPD

≤1500 e/cm2

≤3000 e/cm2

NA

TSD

≤500 e/cm2

≤1000 e/cm2

NA

Priekinė kokybė

Priekyje

Si

Paviršiaus apdaila

Si-face CMP

Dalelės

≤60ea/vaflė (dydis≥0,3μm)

NA

Įbrėžimai

≤5ea/mm. Bendras ilgis ≤ Skersmuo

Bendras ilgis≤2*Skersmuo

NA

Apelsinų žievelės / kauliukai / dėmės / dryžiai / įtrūkimai / užteršimas

Nėra

NA

Kraštų drožlės / įdubos / lūžiai / šešiakampės plokštės

Nėra

Politipinės zonos

Nėra

Bendras plotas≤20 %

Bendras plotas≤30 %

Priekinis lazerinis žymėjimas

Nėra

Nugaros kokybė

Nugaros apdaila

C-face CMP

Įbrėžimai

≤5ea/mm, Kaupiamasis ilgis≤2*Skersmuo

NA

Nugaros defektai (kraštų įtrūkimai/įtraukos)

Nėra

Nugaros šiurkštumas

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Nugaros lazerinis žymėjimas

1 mm (nuo viršutinio krašto)

Kraštas

Kraštas

Nusklembta

Pakuotė

Pakuotė

Epi-ready su vakuumine pakuote

Kelių plokštelių kasetinė pakuotė

*Pastabos: „NA“ reiškia, kad nėra prašymo. Nepaminėti elementai gali būti susiję su SEMI-STD.

tech_1_2_dydis
SiC plokštelės

  • Ankstesnis:
  • Kitas: