Tvirtas CVD SiC žiedas

Trumpas aprašymas:

Kietieji CVD SiC žiedai daugiausia sudaryti iš silicio karbido (SiC) ir pasižymi puikiomis fizinėmis ir cheminėmis savybėmis. Silicio karbidas yra keraminė medžiaga, turinti aukštą lydymosi temperatūrą, didelį kietumą ir puikų atsparumą korozijai. Jis pasižymi puikiu šilumos laidumu, cheminiu stabilumu ir mechaniniu atsparumu aukštoje temperatūroje, taip pat turi puikų atsparumą dilimui ir dilimui.

Atsiųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Kodėl yra solidus CVD SiC žiedas?

Tvirti CVD SiC žiedaiyra plačiai naudojami pramonės ir mokslo srityse aukštoje temperatūroje, korozinėje ir abrazyvinėje aplinkoje. Jis vaidina svarbų vaidmenį įvairiose taikymo srityse, įskaitant:

1. Puslaidininkių gamyba:Tvirti CVD SiC žiedaigali būti naudojamas puslaidininkinės įrangos šildymui ir aušinimui, užtikrinant stabilų temperatūros valdymą, kad būtų užtikrintas proceso tikslumas ir nuoseklumas.

2. Optoelektronika: dėl puikaus šilumos laidumo ir atsparumo aukštai temperatūrai,Tvirti CVD SiC žiedaigali būti naudojamos kaip lazerių, šviesolaidinio ryšio įrangos ir optinių komponentų pagalbinės ir šilumos išsklaidymo medžiagos.

3. Tikslioji mašina: kietieji CVD SiC žiedai gali būti naudojami tiksliesiems instrumentams ir įrangai aukštoje temperatūroje ir korozinėje aplinkoje, pavyzdžiui, aukštos temperatūros krosnyse, vakuuminiuose įrenginiuose ir cheminiuose reaktoriuose.

4. Chemijos pramonė: dėl atsparumo korozijai ir cheminio stabilumo kietieji CVD SiC žiedai gali būti naudojami konteineriuose, vamzdžiuose ir reaktoriuose cheminėse reakcijose ir kataliziniuose procesuose.

Mūsų pranašumas, kodėl verta rinktis Semicera?

✓ Aukščiausios kokybės Kinijos rinkoje

✓Visada geras aptarnavimas, 7*24val

✓Trumpa pristatymo data

✓Mažas MOQ laukiamas ir priimtas

✓Užsakomos paslaugos

Taikymas

Epitaksijos augimo slopiklis

Silicio / silicio karbido plokštelės turi praeiti kelis procesus, kad būtų galima naudoti elektroniniuose įrenginiuose. Svarbus procesas yra silicio / silicio epitaksija, kai silicio / silicio plokštelės nešiojamos ant grafito pagrindo. Ypatingi Semicera silicio karbidu dengto grafito pagrindo privalumai – itin didelis grynumas, vienoda danga ir itin ilgas tarnavimo laikas. Jie taip pat pasižymi dideliu cheminiu atsparumu ir terminiu stabilumu.

Silicio epitaksinis susceptorius

Silicio karbido epitaksinis susceptorius

LED lustų gamyba

Plataus MOCVD reaktoriaus dengimo metu planetinė bazė arba nešiklis judina substrato plokštelę. Pagrindinės medžiagos savybės turi didelę įtaką dangos kokybei, o tai savo ruožtu turi įtakos drožlių laužo kiekiui. Semicera silicio karbidu padengtas pagrindas padidina aukštos kokybės LED plokštelių gamybos efektyvumą ir sumažina bangos ilgio nuokrypį. Taip pat tiekiame papildomus grafito komponentus visiems šiuo metu naudojamiems MOCVD reaktoriams. Beveik bet kurį komponentą galime padengti silicio karbido danga, net jei komponento skersmuo yra iki 1,5M, vis tiek galime padengti silicio karbidu.

LED epitaksinis susceptorius

Puslaidininkių laukas, oksidacijos difuzijos procesas, ir kt.

Puslaidininkių procese oksidacijos plėtimosi procesas reikalauja aukšto produkto grynumo, o „Semicera“ siūlo daugumos silicio karbido dalių pritaikymo ir CVD dengimo paslaugas.

Toliau pateiktame paveikslėlyje parodyta grubiai apdorota Semicea silicio karbido suspensija ir silicio karbido krosnies vamzdis, išvalytas 1000- lygisbe dulkiųkambarys. Mūsų darbuotojai dirba prieš dengimą. Mūsų silicio karbido grynumas gali siekti 99,99%, o silicio dangos grynumas yra didesnis nei 99,99995%..