„Semicera“ teikia specializuotas tantalo karbido (TaC) dangas įvairiems komponentams ir laikikliams.Semicera pirmaujantis dengimo procesas leidžia tantalo karbido (TaC) dangoms pasiekti aukštą grynumą, stabilumą aukštoje temperatūroje ir aukštą cheminių medžiagų toleranciją, gerinant SIC/GAN kristalų ir EPI sluoksnių produkto kokybę (Grafitu padengtas TaC susceptorius) ir pratęsti pagrindinių reaktoriaus komponentų tarnavimo laiką.Tantalo karbido TaC dangos naudojimas yra skirtas išspręsti briaunų problemą ir pagerinti kristalų augimo kokybę, o Semicera proveržis išsprendė tantalo karbido dengimo technologiją (CVD), pasiekdamas tarptautinį pažangų lygį.
Silicio karbidas (SiC) yra pagrindinė trečiosios kartos puslaidininkių medžiaga, tačiau jo išeiga buvo ribojantis pramonės augimą veiksnys.Po išsamių bandymų Semicera laboratorijose buvo nustatyta, kad purškiamas ir sukepintas TaC neturi reikiamo grynumo ir vienodumo.Priešingai, CVD procesas užtikrina 5 PPM grynumo lygį ir puikų vienodumą.CVD TaC naudojimas žymiai pagerina silicio karbido plokštelių išeigą.Sveikiname diskusijasTaC padengti grafito trijų segmentų žiedai dar labiau sumažinti SiC plokštelių sąnaudas.
Po daugelio metų plėtros Semicera užkariavo technologijąCVD TaCbendromis MTEP skyriaus pastangomis.SiC plokštelių augimo procese nesunkiai atsiranda defektų, tačiau panaudojusTaC, skirtumas yra reikšmingas.Žemiau pateikiamas plokštelių su TaC ir be jos, taip pat Simicera dalių, skirtų monokristalų auginimui, palyginimas.
su TaC ir be jo
Panaudojus TaC (dešinėje)
Be to, SemiceraTaC dengti gaminiaituri ilgesnį tarnavimo laiką ir didesnį atsparumą aukštai temperatūrai, palyginti suSiC dangos.Laboratoriniai matavimai parodė, kad mūsųTaC dangosgali nuolat veikti iki 2300 laipsnių Celsijaus temperatūroje ilgą laiką.Žemiau pateikiami keli mūsų pavyzdžių pavyzdžiai:
