TaC dangayra svarbi medžiaginė danga, kuri dažniausiai ruošiama ant grafito pagrindo metalo organinio cheminio nusodinimo garais (MOCVD) technologija. Ši danga pasižymi puikiomis savybėmis, tokiomis kaip didelis kietumas, puikus atsparumas dilimui, atsparumas aukštai temperatūrai ir cheminis stabilumas, ir tinka įvairioms didelės paklausos inžinerinėms reikmėms.
MOCVD technologija yra plačiai naudojama plonų plėvelių auginimo technologija, kuri nusodina norimą junginio plėvelę ant pagrindo paviršiaus, reaguodama metalo organinių pirmtakų su reaktyviosiomis dujomis aukštoje temperatūroje. Kai ruošiamasiTaC danga, parenkant tinkamus metalo organinius pirmtakus ir anglies šaltinius, kontroliuojant reakcijos sąlygas ir nusodinimo parametrus, ant grafito pagrindo galima nusodinti vienodą ir tankią TaC plėvelę.
„Semicera“ teikia specializuotas tantalo karbido (TaC) dangas įvairiems komponentams ir laikikliams.Semicera pirmaujantis dengimo procesas leidžia tantalo karbido (TaC) dangoms pasiekti aukštą grynumą, stabilumą aukštoje temperatūroje ir aukštą cheminių medžiagų toleranciją, gerinant SIC/GAN kristalų ir EPI sluoksnių produkto kokybę (Grafitu padengtas TaC susceptorius) ir pratęsti pagrindinių reaktoriaus komponentų tarnavimo laiką. Tantalo karbido TaC dangos naudojimas yra skirtas išspręsti briaunų problemą ir pagerinti kristalų augimo kokybę, o Semicera proveržis išsprendė tantalo karbido dengimo technologiją (CVD), pasiekdamas tarptautinį pažangų lygį.
Po daugelio metų plėtros Semicera užkariavo technologijąCVD TaCbendromis MTEP skyriaus pastangomis. SiC plokštelių augimo procese nesunkiai atsiranda defektų, tačiau panaudojusTaC, skirtumas yra reikšmingas. Žemiau pateikiamas plokštelių su TaC ir be jos, taip pat Simicera dalių, skirtų monokristalų auginimui, palyginimas.
su TaC ir be jo
Panaudojus TaC (dešinėje)
Be to, SemiceraTaC dengti gaminiaituri ilgesnį tarnavimo laiką ir didesnį atsparumą aukštai temperatūrai, palyginti suSiC dangos.Laboratoriniai matavimai parodė, kad mūsųTaC dangosgali nuolat veikti iki 2300 laipsnių Celsijaus temperatūroje ilgą laiką. Žemiau pateikiami keli mūsų pavyzdžių pavyzdžiai:
