„Semicera“ teikia specializuotas tantalo karbido (TaC) dangas įvairiems komponentams ir laikikliams.Semicera pirmaujantis dengimo procesas leidžia tantalo karbido (TaC) dangoms pasiekti aukštą grynumą, stabilumą aukštoje temperatūroje ir aukštą cheminių medžiagų toleranciją, gerinant SIC/GAN kristalų ir EPI sluoksnių produkto kokybę (Grafitu padengtas TaC susceptorius) ir pratęsti pagrindinių reaktoriaus komponentų tarnavimo laiką. Tantalo karbido TaC dangos naudojimas yra skirtas išspręsti briaunų problemą ir pagerinti kristalų augimo kokybę, o Semicera proveržis išsprendė tantalo karbido dengimo technologiją (CVD), pasiekdamas tarptautinį pažangų lygį.
Atsiradus 8 colių silicio karbido (SiC) plokštelėms, reikalavimai įvairiems puslaidininkių procesams tapo vis griežtesni, ypač epitaksiniams procesams, kai temperatūra gali viršyti 2000 laipsnių Celsijaus. Tradicinės susceptorinės medžiagos, tokios kaip grafitas, padengtas silicio karbidu, yra linkusios sublimuotis esant tokioms aukštoms temperatūroms ir sutrikdo epitaksijos procesą. Tačiau CVD tantalo karbidas (TaC) veiksmingai išsprendžia šią problemą, atlaiko temperatūrą iki 2300 laipsnių Celsijaus ir siūlo ilgesnį tarnavimo laiką. Susisiekite su Semicera's Tantalo karbido danga Pusmėnulisnorėdami sužinoti daugiau apie mūsų pažangius sprendimus.
Po daugelio metų plėtros Semicera užkariavo technologijąCVD TaCbendromis MTEP skyriaus pastangomis. SiC plokštelių augimo procese nesunkiai atsiranda defektų, tačiau panaudojusTaC, skirtumas yra reikšmingas. Žemiau pateikiamas plokštelių su TaC ir be jos, taip pat Simicera dalių, skirtų monokristalų auginimui, palyginimas.
su TaC ir be jo
Panaudojus TaC (dešinėje)
Be to, SemiceraTaC dengti gaminiaituri ilgesnį tarnavimo laiką ir didesnį atsparumą aukštai temperatūrai, palyginti suSiC dangos.Laboratoriniai matavimai parodė, kad mūsųTaC dangosgali nuolat veikti iki 2300 laipsnių Celsijaus temperatūroje ilgą laiką. Žemiau pateikiami keli mūsų pavyzdžių pavyzdžiai:
TaC dengtas susceptorius
Grafitas su TaC dengtu reaktoriumi
