Puslaidininkių srityje medžiagų pasirinkimas yra labai svarbus įrenginio veikimui ir proceso plėtrai.Pastaraisiais metais,silicio karbido plokštelės, kaip nauja medžiaga, sulaukė didelio dėmesio ir parodė didelį panaudojimo potencialą puslaidininkių srityje.
Silicio karbido vaflinė valtisyra plona lakštinė medžiaga, pagaminta iš silicio karbido (SiC) monokristalo.Palyginti su kitomis įprastomis puslaidininkinėmis medžiagomis,silicio karbido vaflinės valtysturi daug unikalių pranašumų.Pirma, jis turi platų energijos diapazono tarpą, todėl jis puikiai veikia aukštos temperatūros ir didelės galios įrenginiuose.Silicio karbido vaflinės valtysgali atlaikyti elektronų migraciją ir nešiklio koncentraciją aukštos temperatūros aplinkoje, todėl pasižymi mažesniu energijos nuostoliu ir didesniu efektyvumu naudojant aukšto dažnio, aukštos temperatūros ir aukštos įtampos įrenginius.
Antra,silicio karbido vaflinės valtysturi puikų šilumos laidumą ir šiluminį stabilumą.Dėl to tai yra ideali medžiaga didelės galios puslaidininkiniams įrenginiams, kurie gali efektyviai praleisti ir išsklaidyti šilumą, pagerindami įrenginio patikimumą ir stabilumą.Silicio karbido vaflinės valtystaip pat turi geras mechanines savybes ir cheminį stabilumą, gali atsispirti įtempiams ir aplinkos korozijai bei prailginti prietaiso tarnavimo laiką.
Papildomai,silicio karbido vaflinės valtystaip pat turi puikias elektrines savybes.Jis turi didesnį elektronų mobilumą ir mažesnę nešiklio koncentraciją, todėl užtikrina didesnį perjungimo greitį ir mažesnę varžą.Dėl to silicio karbido plokštelės yra idealus pasirinkimas aukšto dažnio maitinimo įrenginiams ir didelės spartos elektroniniams įrenginiams, skatinant puslaidininkių technologijų plėtrą.
Nuolat tobulėjant puslaidininkių technologijoms ir didėjant didelės galios, aukštos temperatūros, aukšto dažnio ir didelės spartos įrenginių paklausai,silicio karbido plokštelėstapo platesni.Jis gali būti taikomas įvairiose srityse, įskaitant galios elektroniką, belaidį ryšį, elektrines transporto priemones, aviaciją ir kt. Pavyzdžiui, galios elektronikos srityje silicio karbido plokštelės gali būti naudojamos efektyviems galios perjungimo įtaisams gaminti, siekiant pagerinti energijos konversijos efektyvumą ir sistemos patikimumas.Belaidžio ryšio srityje silicio karbido plokštelės gali būti naudojamos pagrindiniuose komponentuose, tokiuose kaip aukšto dažnio galios stiprintuvai ir radijo dažnio jungikliai, siekiant greitesnio ir stabilesnio duomenų perdavimo.
Apibendrinant galima pasakyti, kad silicio karbido plokštelės, kaip nauja medžiaga, parodė plačias taikymo perspektyvas puslaidininkių srityje.Dėl puikių elektrinių, šiluminių ir mechaninių savybių jis yra ideali medžiaga didelės galios, aukštos temperatūros, aukšto dažnio ir didelės spartos darbams.Vis didėjant energijos vartojimo efektyvumo ir našumo reikalavimams, tikimasi, kad silicio karbido plokštelės vaidins vis svarbesnį vaidmenį puslaidininkių pramonėje ir skatins naujovišką puslaidininkių technologijų plėtrą.
Paskelbimo laikas: 2024-03-14