Puslaidininkinė perkristalizuoto silicio karbido valtis

Trumpas aprašymas:

„Semicera Energy Technology Co., Ltd.“ yra pirmaujanti tiekėja, kuri specializuojasi plokščių ir pažangių puslaidininkinių eksploatacinių medžiagų gamyboje.Esame pasiryžę teikti aukštos kokybės, patikimus ir novatoriškus produktus puslaidininkių gamybai,fotovoltinės pramonėsir kitose susijusiose srityse.

Mūsų produktų liniją sudaro SiC / TaC dengti grafito gaminiai ir keramikos gaminiai, apimantys įvairias medžiagas, tokias kaip silicio karbidas, silicio nitridas, aliuminio oksidas ir kt.

Kaip patikimas tiekėjas suprantame vartojimo reikmenų svarbą gamybos procese ir esame įsipareigoję tiekti produktus, atitinkančius aukščiausius kokybės standartus, kad patenkintume klientų poreikius.

Siųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

Silicio karbidas yra naujo tipo keramika, pasižyminti didelėmis sąnaudomis ir puikiomis medžiagų savybėmis.Dėl tokių savybių kaip didelis stiprumas ir kietumas, atsparumas aukštai temperatūrai, didelis šilumos laidumas ir atsparumas cheminei korozijai, silicio karbidas gali beveik atlaikyti visas chemines terpes.Todėl SiC yra plačiai naudojamas naftos gavybos, chemijos, mašinų ir oro erdvėje, net branduolinė energija ir kariuomenė turi ypatingų SIC reikalavimų.Įprastas pritaikymas, kurį galime pasiūlyti, yra siurblio, vožtuvo ir apsauginių šarvų sandarinimo žiedai ir kt.

Galime suprojektuoti ir pagaminti pagal jūsų konkrečius matmenis, geros kokybės ir pagrįstą pristatymo laiką.

Aprivalumai:

Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje

Puikus atsparumas korozijai

Geras atsparumas dilimui

Aukštas šilumos laidumo koeficientas
Savaiminis tepimas, mažas tankis
Didelis kietumas
Individualus dizainas.

Programos:

-Dėvėjimui atsparus laukas: įvorė, plokštė, smėliavimo antgalis, ciklono pamušalas, šlifavimo statinė ir kt.

-Aukštos temperatūros laukas: siC plokštė, gesinimo krosnies vamzdis, spinduliavimo vamzdis, tiglis, šildymo elementas, volelis, sija, šilumokaitis, šalto oro vamzdis, degiklio antgalis, termoporos apsauginis vamzdis, SiC valtis, krosnies automobilio konstrukcija, seteris ir kt.

- Karinis neperšaunamas laukas

-Silicio karbido puslaidininkis: SiC plokštelė, sic griebtuvas, sic irklas, sic kasetė, sic difuzijos vamzdis, plokštelių šakutė, siurbimo plokštė, kreiptuvas ir kt.

-Silicio karbido sandarinimo laukas: visų rūšių sandarinimo žiedas, guolis, įvorė ir kt.

- Fotovoltinis laukas: konsolinis irklas, šlifavimo statinė, silicio karbido volelis ir kt.

- Ličio baterijų laukas

Techniniai parametrai:

Medžiagos duomenų lapas

材料Medžiaga	R-SiC
使用温度Darbinė temperatūra (°C)	1600°C (氧化气氛Oksiduojanti aplinka) 1700°C (还原气氛Aplinkos mažinimas)
SiC含量SiC kiekis (%)	> 99
自由Si含量Nemokamas Si kiekis (%)	< 0,1
体积密度Tūrinis tankis (g/cm3)	2,60-2,70
气孔率Tariamasis poringumas (%)	< 16
抗压强度Gniuždymo stiprumas (MPa)	> 600
常温抗弯强度Šalto lenkimo stipris (MPa)	80–90 (20 °C)
高温抗弯强度Karštas lenkimo stipris (MPa)	90–100 (1400 °C)
热膨胀系数 Šiluminio plėtimosi koeficientas @1500°C (10-6/°C)	4.70
导热系数Šilumos laidumas @1200°C (W/m•K)	23
杨氏模量Tamprumo modulis (GPa)	240
抗热震性Atsparumas šiluminiam smūgiui	很好Be galo geras