Silicio karbido plokštelių gamybos procesas

Silicio karbido plokštelėyra pagamintas iš didelio grynumo silicio miltelių ir didelio grynumo anglies miltelių kaip žaliavos, o silicio karbido kristalai auginami fizinio garų perdavimo metodu (PVT) ir perdirbami įsilicio karbido plokštelė.

① Žaliavų sintezė.Didelio grynumo silicio milteliai ir didelio grynumo anglies milteliai buvo sumaišyti pagal tam tikrą santykį, o silicio karbido dalelės buvo susintetintos aukštoje, aukštesnėje nei 2000 ℃ temperatūroje.Po smulkinimo, valymo ir kitų procesų paruošiamos didelio grynumo silicio karbido miltelių žaliavos, atitinkančios kristalų augimo reikalavimus.

② Kristalų augimas.Kaip žaliavą naudojant didelio grynumo SIC miltelius, kristalai buvo auginami fizinio garų perdavimo (PVT) metodu, naudojant savarankiškai sukurtą kristalų auginimo krosnį.

③ luitų apdorojimas.Gautas silicio karbido kristalų luitas buvo orientuotas rentgeno monokristaliniu orientatoriumi, po to sumaltas ir valcuotas bei perdirbtas į standartinio skersmens silicio karbido kristalą.

④ Krištolo pjovimas.Naudojant kelių linijų pjovimo įrangą, silicio karbido kristalai supjaustomi plonais lakštais, kurių storis ne didesnis kaip 1 mm.

⑤ Skiedrų šlifavimas.Vaflė sumalama iki norimo lygumo ir šiurkštumo skirtingų dalelių dydžių deimantiniais šlifavimo skysčiais.

⑥ Drožlių poliravimas.Poliruotas silicio karbidas be paviršiaus pažeidimų buvo gautas mechaniniu poliravimu ir cheminiu mechaniniu poliravimu.

⑦ Lustų aptikimas.Naudokite optinį mikroskopą, rentgeno spindulių difraktometrą, atominės jėgos mikroskopą, nekontaktinį varžos testerį, paviršiaus lygumo testerį, paviršiaus defektų visapusį testerį ir kitus instrumentus bei įrangą, kad nustatytumėte mikrovamzdelių tankį, kristalų kokybę, paviršiaus šiurkštumą, savitumą, kreivumą, kreivumą, storio pokytis, paviršiaus įbrėžimas ir kiti silicio karbido plokštelės parametrai.Pagal tai nustatomas lusto kokybės lygis.

⑧ Skiedrų valymas.Silicio karbido poliravimo lakštas nuvalomas valymo priemone ir grynu vandeniu, kad būtų pašalintas poliravimo skysčio likutis ir kiti paviršiaus nešvarumai ant poliravimo lakšto, o po to plokštelė išpučiama ir išdžiovinama itin didelio grynumo azotu ir džiovinimo mašina;Plokštelė yra įdėta į švaraus lakšto dėžutę itin švarioje kameroje, kad būtų suformuota paruošta naudoti silicio karbido plokštelė.

Kuo didesnis lusto dydis, tuo sunkesnė atitinkama kristalų auginimo ir apdorojimo technologija, o kuo didesnis tolesnių įrenginių gamybos efektyvumas, tuo mažesnė vieneto kaina.