CVD tūrinis silicio karbidas (SiC)
Apžvalga:CVDtūrinis silicio karbidas (SiC)yra labai paklausi medžiaga plazminio ėsdinimo įrangoje, greitojo terminio apdorojimo (RTP) programose ir kituose puslaidininkių gamybos procesuose. Dėl išskirtinių mechaninių, cheminių ir šiluminių savybių jis yra ideali medžiaga pažangioms technologijoms, kurioms reikalingas didelis tikslumas ir ilgaamžiškumas.
CVD masinio SiC pritaikymas:Tūrinis SiC yra labai svarbus puslaidininkių pramonėje, ypač plazminio ėsdinimo sistemose, kur tokie komponentai kaip fokusavimo žiedai, dujinės dušo galvutės, kraštiniai žiedai ir plokštės turi išskirtinį SiC atsparumą korozijai ir šilumos laidumą. Jo naudojimas apimaRTPsistemos dėl SiC gebėjimo atlaikyti greitus temperatūros svyravimus be reikšmingo degradacijos.
Be ėsdinimo įrangos, CVDbirių SiCnaudojamas difuzinėse krosnyse ir kristalų augimo procesuose, kur reikalingas didelis terminis stabilumas ir atsparumas atšiaurioms cheminėms aplinkoms. Dėl šių savybių SiC yra pasirinkta medžiaga didelės paklausos darbams, susijusiems su aukšta temperatūra ir korozinėmis dujomis, tokiomis kaip chloro ir fluoro.
CVD masinių SiC komponentų pranašumai:
•Didelis tankis:kurio tankis 3,2 g/cm³,CVD birus SiCkomponentai yra labai atsparūs dilimui ir mechaniniam poveikiui.
•Puikus šilumos laidumas:Siūlomas 300 W/m·K šilumos laidumas, masinis SiC efektyviai valdo šilumą, todėl puikiai tinka komponentams, veikiamiems ekstremalių šiluminių ciklų.
•Išskirtinis cheminis atsparumas:Mažas SiC reaktyvumas su ėsdinimo dujomis, įskaitant chloro ir fluoro pagrindu pagamintus chemikalus, užtikrina ilgesnį komponentų tarnavimo laiką.
•Reguliuojama varža: CVD birūs SiCvarža gali būti pritaikyta 10⁻²–10⁴ Ω-cm diapazone, todėl ją galima pritaikyti prie specifinių ėsdinimo ir puslaidininkių gamybos poreikių.
•Šiluminio plėtimosi koeficientas:CVD tūrinis SiC, kurio šiluminio plėtimosi koeficientas yra 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), atsparus šiluminiam smūgiui, išlaikant matmenų stabilumą net greito šildymo ir vėsinimo ciklų metu.
•Patvarumas plazmoje:Plazmos ir reaktyviųjų dujų poveikis yra neišvengiamas puslaidininkių procesuose, tačiauCVD birus SiCpasižymi puikiu atsparumu korozijai ir degradacijai, sumažina keitimo dažnumą ir bendras priežiūros išlaidas.
Techninės specifikacijos:
•Skersmuo:Didesnis nei 305 mm
•Atsparumas:Reguliuojamas 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Tankis:3,2 g/cm³
•Šilumos laidumas:300 W/m·K
•Šiluminio plėtimosi koeficientas:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Pritaikymas ir lankstumas:AtSemicera puslaidininkis, mes suprantame, kad kiekvienai puslaidininkių programai gali prireikti skirtingų specifikacijų. Štai kodėl mūsų CVD masiniai SiC komponentai yra visiškai pritaikomi, su reguliuojama varža ir pritaikytais matmenimis, kad atitiktų jūsų įrangos poreikius. Nesvarbu, ar optimizuojate savo plazminio ėsdinimo sistemas, ar ieškote patvarių RTP ar difuzijos procesų komponentų, mūsų CVD masinis SiC užtikrina neprilygstamą našumą.
