Puslaidininkiniu SiC dengtas monokristalinio silicio epitaksinis diskas

Trumpas aprašymas:

„Semicera Energy Technology Co., Ltd.“ yra pirmaujanti tiekėja, kuri specializuojasi plokščių ir pažangių puslaidininkinių eksploatacinių medžiagų gamyboje.Esame pasiryžę teikti aukštos kokybės, patikimus ir novatoriškus produktus puslaidininkių gamybai,fotovoltinės pramonėsir kitose susijusiose srityse.

Mūsų produktų liniją sudaro SiC / TaC dengti grafito gaminiai ir keramikos gaminiai, apimantys įvairias medžiagas, tokias kaip silicio karbidas, silicio nitridas, aliuminio oksidas ir kt.

Kaip patikimas tiekėjas suprantame vartojimo reikmenų svarbą gamybos procese ir esame įsipareigoję tiekti produktus, atitinkančius aukščiausius kokybės standartus, kad patenkintume klientų poreikius.

Siųskite mums el

Produkto detalė

Produkto etiketės

apibūdinimas

Mūsų įmonė teikiaSiC dangaapdorojimo paslaugos CVD metodu grafito, keramikos ir kitų medžiagų paviršiuje, kad specialios dujos, turinčios anglies ir silicio, reaguodamos aukštoje temperatūroje gautų didelio grynumo SiC molekules, molekules, nusėdusias ant dengtų medžiagų paviršiaus.SIC apsauginis sluoksnis.

Monokristalinio silicio epitaksinis lakštas

Pagrindinės funkcijos

1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje:
atsparumas oksidacijai išlieka labai geras, kai temperatūra siekia net 1600 C.
2. Didelis grynumas: pagamintas cheminiu garų nusodinimu aukštoje temperatūroje chloruojant.
3. Atsparumas erozijai: didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.
4. Atsparumas korozijai: rūgštis, šarmai, druska ir organiniai reagentai.

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos

SiC-CVD savybės
Kristalinė struktūra	FCC β fazė
Tankis	g/cm³	3.21
Kietumas	Vickerso kietumas	2500
Grūdų dydis	μm	2~10
Cheminis grynumas	%	99.99995
Šilumos talpa	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimacijos temperatūra	℃	2700
Feleksualinė jėga	MPa (RT 4 taškai)	415
Youngo modulis	Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)	430
Šiluminė plėtra (CTE)	10-6K-1	4.5
Šilumos laidumas	(W/mK)	300