Puslaidininkio silicio pagrindu sukurta GaN epitaksija

Trumpas aprašymas:

„Semicera Energy Technology Co., Ltd.“ yra pirmaujanti pažangios puslaidininkinės keramikos tiekėja ir vienintelis gamintojas Kinijoje, galintis vienu metu tiekti didelio grynumo silicio karbido keramiką (ypač perkristalizuotą SiC) ir CVD SiC dangą. Be to, mūsų įmonė taip pat yra įsipareigojusi keramikos laukams, tokiems kaip aliuminio oksidas, aliuminio nitridas, cirkonis, silicio nitridas ir kt.

 

Produkto detalė

Produkto etiketės

Silicio pagrindu sukurta GaN epitaksija

Produkto aprašymas

Mūsų įmonė teikia SiC dengimo proceso paslaugas CVD metodu grafito, keramikos ir kitų medžiagų paviršiuje, kad specialios dujos, turinčios anglies ir silicio, reaguodamos aukštoje temperatūroje gautų didelio grynumo SiC molekules, molekules, nusėdusias ant dengtų medžiagų paviršiaus, suformuojantis SIC apsauginį sluoksnį.

Pagrindinės savybės:

1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje:

atsparumas oksidacijai išlieka labai geras, kai temperatūra siekia net 1600 C.

2. Didelis grynumas: pagamintas cheminiu garų nusodinimu aukštoje temperatūroje chloruojant.

3. Atsparumas erozijai: didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.

4. Atsparumas korozijai: rūgštis, šarmai, druska ir organiniai reagentai.

Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos

SiC-CVD savybės

Kristalinė struktūra

FCC β fazė

Tankis

g/cm³

3.21

Kietumas

Vickerso kietumas

2500

Grūdų dydis

μm

2~10

Cheminis grynumas

%

99.99995

Šilumos talpa

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimacijos temperatūra

2700

Feleksualinė jėga

MPa (RT 4 taškai)

415

Youngo modulis

Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃)

430

Šiluminė plėtra (CTE)

10-6K-1

4.5

Šilumos laidumas

(W/mK)

300

Semicera Darbo vieta
Semicera darbo vieta 2
Įrangos mašina
CNN apdorojimas, cheminis valymas, CVD dengimas
Mūsų paslauga

  • Ankstesnis:
  • Kitas: