Prekės aprašymas
Mūsų įmonė teikiaSiC dangaapdorojimo paslaugos CVD metodu grafito, keramikos ir kitų medžiagų paviršiuje, kad specialios dujos, turinčios anglies ir silicio, reaguodamos aukštoje temperatūroje gautų didelio grynumo SiC molekules, molekules, nusėdusias ant dengtų medžiagų paviršiaus.SIC apsauginis sluoksnis.
Pagrindinės funkcijos:
1. Atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje:
atsparumas oksidacijai išlieka labai geras, kai temperatūra siekia net 1600 C.
2. Didelis grynumas: pagamintas cheminiu garų nusodinimu aukštoje temperatūroje chloruojant.
3. Atsparumas erozijai: didelis kietumas, kompaktiškas paviršius, smulkios dalelės.
4. Atsparumas korozijai: rūgštis, šarmai, druska ir organiniai reagentai.
Pagrindinės CVD-SIC dangos specifikacijos
| SiC-CVD savybės | ||
| Kristalinė struktūra | FCC β fazė | |
| Tankis | g/cm³ | 3.21 |
| Kietumas | Vickerso kietumas | 2500 |
| Grūdų dydis | μm | 2~10 |
| Cheminis grynumas | % | 99.99995 |
| Šilumos talpa | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimacijos temperatūra | ℃ | 2700 |
| Feleksualinė jėga | MPa (RT 4 taškai) | 415 |
| Youngo modulis | Gpa (4 pt lenkimas, 1300 ℃) | 430 |
| Šiluminė plėtra (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Šilumos laidumas | (W/mK) | 300 |
-
Aukštos temperatūros SiC dengtas epitaksinis reaktorius B...
-
SiC padengta grafito statinė skirta epitaksiniam augimui
-
LMJ microjet lazerinės technologijos įranga
-
SiC dengtas puslaidininkinis epitaksinis reaktorius...
-
Grafito šildytuvo karštoji zona / grafito karštasis laukas, ca...
-
Reakcinis sukepintas silicio karbido vaflinis valtis